電腦內(nèi)存怎么看是ddr幾代,電腦內(nèi)存怎樣看幾代

怎么看內(nèi)存條是DDR幾？

區(qū)別電腦的內(nèi)存條，以插口進(jìn)行分類即可。內(nèi)存條插口分為三種：DDR、DDR2、DDR3。其中DDR是一代，DDR2是二代，DDR3是三代。

查看內(nèi)存條插口的方法如下：

1，安裝驅(qū)動精靈、魯大師等軟件；

2，雙擊運(yùn)行軟件（以魯大師為例），點(diǎn)擊“硬件檢測”；

3，在“內(nèi)存信息”中即可查看。

拓展資料：

1.DDR3是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品，提供了相較于DDR2SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓，是DDR2SDRAM(同步動態(tài)動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)的后繼者(增加至八倍)，也是現(xiàn)時(shí)流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。

2.DDR4又稱雙倍速率SDRAM，DoubleDateRateSDRSMDDRSDRAM是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存。

美國JEDEC的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000年6月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDRSDRAM)規(guī)范JESD79，由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s。

DDR不支持3.3V電壓的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)，它仍然可以沿用現(xiàn)有SDRAM的生產(chǎn)體系，制造成本比SDRAM略高一些，但遠(yuǎn)小于Rambus的價(jià)格。DDR存儲器代表著未來能與Rambu相抗衡的內(nèi)存發(fā)展的一個(gè)方向。

怎么看內(nèi)存條上ddr幾？

1、通過軟件查看，打開檢測軟件，點(diǎn)擊硬件檢測。、點(diǎn)擊左側(cè)的內(nèi)存信息、在右側(cè)會看到代數(shù)。、通過標(biāo)簽查看，在內(nèi)存條上有白色的標(biāo)簽，其上標(biāo)注有ddr，其中ddr2是第二代，ddr3是第三代，ddr4是第四代，ddr是第一代。、通過型號查看，若標(biāo)簽上沒有標(biāo)注ddr，可找到標(biāo)簽上的型號，在網(wǎng)上輸入該型號，就會得到搜索的結(jié)果。

內(nèi)存條怎么看是DDR幾代的

查看內(nèi)存條是幾代，有三種基本方法：

一、查看說明書：如果是品牌電腦，一般會附帶電腦說明書或詳細(xì)的硬件配置清單，可由此確定其內(nèi)存型號。

二、查看內(nèi)存實(shí)物：關(guān)機(jī)斷電，打開機(jī)箱，實(shí)地查看插入主板內(nèi)存插槽中的內(nèi)存（可將內(nèi)存拆下觀察，如下圖所示），并兩相對照，以確定其型號。內(nèi)存外觀區(qū)分圖：主要比較針腳數(shù)量和金手指上的缺口位置，或者查看內(nèi)存標(biāo)簽上的參數(shù)。

DDR1：一個(gè)缺口、單面92針腳、雙面184針腳、左52右40、內(nèi)存顆粒長方形

DDR2：一個(gè)缺口、單面120針腳、雙面240針腳、左64右56、內(nèi)存顆粒正方形、電壓1.8V

DDR3：一個(gè)缺口、單面120針腳、雙面240針腳、左72右48、內(nèi)存顆粒正方形、電壓1.5V

三、軟件檢測內(nèi)存：可通過專用工具如360驅(qū)動大師、魯大師、驅(qū)動精靈等等檢測硬件，以確定內(nèi)存型號。

擴(kuò)展資料：

內(nèi)存是電腦(PC機(jī)、單片機(jī))必不可少的組成部分。與可有可無的外存不同，內(nèi)存是以總線方式進(jìn)行讀寫操作的部件;內(nèi)存決非僅僅是起數(shù)據(jù)倉庫的作用。除少量操作系統(tǒng)中必不可少的程序長駐內(nèi)存外，我們平常使用的程序，如Windows、Linux等系統(tǒng)軟件，包括打字軟件、游戲軟件等在內(nèi)的應(yīng)用軟件，雖然把包括程序代碼在內(nèi)的大量數(shù)據(jù)都放在磁帶、磁盤、光盤、移動盤等外存設(shè)備上，但外存中任何數(shù)據(jù)只有調(diào)入內(nèi)存中才能真正使用。電腦上任何一種輸入(來自外存、鍵盤、鼠標(biāo)、麥克風(fēng)、掃描儀，等等)和任何一種輸出(顯示、打印、音像、寫入外存，等等)無一不是通過內(nèi)存才可以進(jìn)行。

內(nèi)存分為DRAM和ROM兩種，前者又叫動態(tài)隨機(jī)存儲器，它的一個(gè)主要特征是斷電后數(shù)據(jù)會丟失，我們平時(shí)說的內(nèi)存就是指這一種;后者又叫只讀存儲器，我們平時(shí)開機(jī)首先啟動的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去調(diào)用硬盤中的Windows，ROM的一個(gè)主要特征是斷電后數(shù)據(jù)不會丟失。

根據(jù)內(nèi)存條上的引腳多少，我們可以把內(nèi)存條分為30線、72線、168線等幾種。30線與72線的內(nèi)存條又稱為單列存儲器模塊SIMM，(SIMM就是一種兩側(cè)金手指都提供相同信號的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，)168線的內(nèi)存條又稱為雙列存儲器模塊DIMM。30線內(nèi)存條已經(jīng)沒有了;前兩年的流行品種是72線的內(nèi)存條，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種;市場的主流品種是168線內(nèi)存條，168線內(nèi)存條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種，一般的電腦插一條就OK了，不過，只有基于VX、TX、BX芯片組的主板才支持168線的內(nèi)存條。

評價(jià)內(nèi)存條的性能指標(biāo)一共有四個(gè)：

(1)存儲容量：即一根內(nèi)存條可以容納的二進(jìn)制信息量，如常用的168線內(nèi)存條的存儲容量一般多為32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍為1GB到8GB。

(2)存取速度（存儲周期）：即兩次獨(dú)立的存取操作之間所需的最短時(shí)間，又稱為存儲周期，半導(dǎo)體存儲器的存取周期一般為60納秒至100納秒。

(3)存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時(shí)間來衡量，可以理解為兩次故障之間的平均時(shí)間間隔。

(4)性能價(jià)格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項(xiàng)內(nèi)容，性能價(jià)格比是一個(gè)綜合性指標(biāo)，對于不同的存儲器有不同的要求。

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